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              产品与服务
              SiC

              碳化硅肖特基二极管(SiC Schottky Barrier Diode,SiC SBD)

               

              型 号 IF(AV) VRRM VRSM VDC QC IFSM IFRM Ptot TJ VF IR C 封装形式
              @TJ
              =25℃
              @TJ=25℃ @TJ=25℃ @TJ=25℃,f=1MHz
              Pulse:tp
              =10µs
              @IF(AV) @VRRM @VR
              =0V
              @VR
              =400V
              @VR
              =800V
              @VR
              =1000V
              A V V V nC A A W V μA PF PF PF PF
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              SS01•
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              20 650 650 650 82.5 -55~+175 2.3 26.3 1900.0 120.0 88.6 TO-247-2L
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              SS01•
              JB0XX6E
              20 650 650 650 -55~+175 1.7 26.3
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              SS01•
              JC0BA12
              30 1200 1200 1200 180.0 -55~+175 1.37 25 TO-247-2L
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              SS01•
              JB5BA17
              25 1700 1700 1700 203 -55~+175 1.39 76.1 3190.0 151.0 139.0 TO-247-2L
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              SS01•
              JB5XX17
              25 1700 1700 1700 -55~+175 1.43 76.1
              欧洲杯2021举办城市
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